大陸西安變電廠爆炸造成當地三星晶圓廠、美光及力成
封測廠出現電力閃斷及電功下降，預期將對記憶體市場供給造成影響，記憶體業界昨（20）日均以「西安事變」來形容此次跳電危機，而包括DRAM及NAND Flash報價也出現難得一見的全面上漲行情。
三星、美光、力成等業者昨日指出，對後續供貨情況不會有太大影響。但記憶體業界人士表示，半導體業界在過去10年當中，有關記憶體晶圓廠或封測廠發生電力閃斷的事件後，都出現供貨吃緊問題，因為半導體設備機台跟電腦一樣，電力閃斷就好像插頭拔起幾秒再插回一樣，設備就會當機或參數跑掉
，至少也要1～2周時間才有辦法回復原本正常運作。
工商時報【涂志豪╱
台北報導】
所以，通路商預期後續DRAM及NAND Flash供貨可能吃緊，昨日均開始提高庫存水位，根據台灣、香港、深圳三地的昨日現貨報價，NAND隨身碟及記憶卡價格漲幅最大，32GB/64GB USB 3.0隨身碟公板價格漲幅達5～10％，16GB/32GB MicroSD卡價格漲幅達3～5％，32GB/64GB MLC規格NAND Flash晶片漲幅達1～3％。在DRAM部分，深圳地區DRAM模組平均漲幅達3～5％左右，DDR3顆粒價格則出現1％左右漲幅。
集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange則表示，第3季NAND Flash供貨吃緊的態勢愈發明顯，TLC規格晶圓與記憶卡價格自4月初以來已連續3個月份逐步走揚，由於時間上已進入智慧型手機備貨旺季，三星西安廠短暫跳電導致供不應求預期心理，將導致第3季NAND Flash市況火熱。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，NAND Flash原廠持續降低對於通路的供貨比重，來滿足eMMC/eMCP、固態硬碟（SSD）的需求，並同時積極轉進3D NAND，讓2D NAND的產出持續下滑，因此現貨與通路市場的貨源更顯緊縮。DRAMeXchange預估2016年第3季的TL
C晶圓及記憶卡現貨等價格將持續調漲，第4季的NAND Flash的市況將視蘋果新一代iPh
one與其他品牌智慧型手機新品上市後的銷售力道而定。
集邦指出，西安18日變電站爆炸，使三星西安廠短暫停電數秒，在工程師搶修設備，並快速進行
線上晶圓損害清查後，目前部分產能已恢復生產。楊文得指出，依照事發當日部分產能已能恢復生產的進度來看，此次停電對三星NAND Flash的產出影響有限，預估當日其線上受損晶圓（Wafer-In-Process）片數約略在1萬片以內，此缺口透過增加投片及縮短部分製程可以彌補，但此事件恐將加深第3季NAND Flash供不應求的預期性心理。
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